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10.3969/j.issn.1004-2474.2010.02.039

脉冲激光沉积法制备Ca_3Co_4O_9热电薄膜的研究

引用
分别采用固相法和溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了Ca_3Co_4O_9热电陶瓷靶材,对Ca_3Co_4O_9薄膜的成膜工艺及机制进行了分析与探讨,在此基础上,采用适当的靶材利用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0001)晶向(c轴)的Al_2O_3衬底上生长了单相的Ca_3Co_4O_9薄膜.通过X-射线衍射(XRD)仪、金相显微镜及扫描电镜(SEM)等表征手段,研究了靶材与薄膜的制备工艺对热电薄膜的物相、显微结构及形貌的影响.用直流四探针法测定了靶材和薄膜电阻率与温度的关系,结果表明,薄膜具有明显的半导体特性.

Ca_3Co_4O_9、热电陶瓷、热电薄膜、脉冲激光沉积(PLD)

32

TN3(半导体技术)

2010-05-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

297-300

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压电与声光

1004-2474

50-1091/TN

32

2010,32(2)

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