UV-LIGA技术在多层微结构制备中的工艺研究

摘要：

UV-LIGA技术在制备多层复杂微结构时存在如何确保多层套刻对准精度,尺寸控制精度及层间良好结合的问题.该文对这些问题进行了分析与实验研究,实验证明,弱曝光是产生层间位移,影响套刻精度的原因之一,减少曝光所产生的应力应以不发生位移为前提;降低升降温速率能有效降低应力,提高层间结合性能,从而减少图形位移,确保套刻对准的精度.

关键词：UV-LIGA、多层、套刻精度、曝光、中烘

所属期刊栏目：31

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室基金资助项目914OC7903070608,914OC7903060706

在线出版日期：2009-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：706-708