N2气氛烧结Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷性能研究

摘要：

采用普通固相合成法制备了Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷,研究了N2烧结气氛下,Gd部分取代BiNbO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响.结果表明,不同Gd掺杂量的样品,相结构差别不大,均以低温斜方相为主晶相.随着Gd含量的增加,陶瓷样品的烧结温度升高,表观密度和相对介电常数均略有减小, 品质因数与频率之积(Q×f)值也会发生变化.当x(Gd)＝0.008时,900 ℃烧结的Bi0.992Gd0.008NbO4陶瓷样品具有较好的介电性能:介电常数εr＝43.6(4.3 GHz),Q×f＝14 288 GHz(4.3 GHz),谐振频率温度系数τf≈0 .

关键词：Bi1-xGdxNbO4、微波介质陶瓷、气氛烧结

所属期刊栏目：30

分类号：TM22(电工材料)

在线出版日期：2008-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：121-123