退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si上淀积高c轴取向的ZnO薄膜,在氧气和氩气的混合气氛、不同温度(400～900 ℃)下进行快速热退火处理.利用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对薄膜结构、形貌与界面状态性能进行了分析.研究结果表明, ZnO薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大,衍射峰强度增强,峰位随之偏移;SEM分析显示薄膜呈柱状生长,表现出较好的c轴取向性;TEM分析表明ZnO与下电极Pt是呈共格生长,晶格匹配很好.

关键词：快速热退火、ZnO薄膜、c轴取向、透射电镜(TEM)

所属期刊栏目：30

分类号：TM22(电工材料)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划51310Z

在线出版日期：2008-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：87-89