10.3969/j.issn.1004-2474.2008.01.027
LaMn1-xVxO3的导电机理研究
通过掺杂钒(V),探讨钙钛矿型导电陶瓷LaMn1-xVxO3(0.1≤x≤0.4)的导电机理.采用传统的固相反应法制备LaMn1-xVxO3(0.1≤x≤0.4)样品,在空气中于1 200 ℃下烧结2 h.测样品在常温(25 ℃)至300 ℃范围内的阻温特性,并利用小极化子导电模型进行验证.结果表明,LaMn1-xVxO3(0.1≤x≤0.4)在25~300 ℃范围内的导电属于小极化子导电机理.
LaMn1-xVxO3、阻温特性、小极化子
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TM283(电工材料)
2008-05-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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