低温共烧PSN-PZT压电陶瓷的研究

摘要：

以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备PSN-PZT压电陶瓷,并研究PSN含量、B位离子Nb缺位量、ZrO2的减少量、微量添加元素、烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响.结果表明: PSN的加入使PZT的准同型相界点向富钛方向移动,当PSN的摩尔分数为3%,材料的最佳锆钛比r(Zr/Ti)=1.04.B位离子Nb的缺位可大幅度降低材料的烧结温度,在Nb缺位量为10%时,可使材料的烧结温度降低到(1 110±20)℃,同时保持优异的压电性能:居里温度TC=339 ℃,压电常数d33＝427 pC/N,介电常数εT33/ε0=1 750,机电耦合系数kp＝0.72,介电损耗tan δ=0.014.

关键词：PSN-PZT、压电陶瓷、低温烧结、压电性能

所属期刊栏目：30

分类号：TN282(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2008-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-28,32