硅基氮化铝薄膜的AFM和XPS分析

摘要：

在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分.结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°.薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm.薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al-N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比.

关键词：氮化铝、直流磁控溅射、原子力显微镜、X-射线光电子能谱、化学计量比

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分类号：O484(固体物理学)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金教外司留 2001-498

在线出版日期：2008-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：723-725