10.3969/j.issn.1004-2474.2007.06.018
Sol-Gel法制备Bi4Ti3O12薄膜及其性能研究
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密.对700 ℃退火的BTO薄膜进行了铁电性能和疲劳特性测试,在测试电压为6 V时,剩余极化值2Pr约为12.5 μC/cm2,矫顽电场2Ec约为116.7 kV/cm;经1×109次极化反转后,剩余极化值下降了24%,对其疲劳机理进行了探讨.
Bi4Ti3O12薄膜、溶胶-凝胶(Sol-Gel)法、铁电性能、疲劳性能
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TN304(半导体技术)
湖北省自然科学基金2003ABA061;2004ABA082
2008-03-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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