10.3969/j.issn.1004-2474.2007.05.036
铁电电容工艺与标准CMOS工艺兼容性研究
在铁电存储器制备过程中,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染.对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400 ℃时有0.15×10-6铅挥发.同时进一步研究了铁电工艺对底层NMOS管、PMOS管和CMOS电路性能的影响.实验结果表明:PMOS管的性能所受影响较大,PMOS管子的跨导(g m)明显降低;而NMOS管的性能所受影响较小;CMOS电路的数字逻辑功能正常.
PZT薄膜、铁电电容、热处理、铅挥发、跨导
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TN384(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划51310z
2007-12-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
609-611,614