PZT/LaNiO3/MgO多层结构制备及性能研究

摘要：

利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500 ℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜.在5V测试电压下发现650 ℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(εr ,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9 A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度( Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8 μC/cm2和76.3 kV/cm.

关键词：LaNiO3、锆钛酸铅(PZT)、激光脉冲沉积、射频磁控溅射、退火

所属期刊栏目：29

分类号：TM22(电工材料)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划51310Z

在线出版日期：2007-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：586-588