10.3969/j.issn.1004-2474.2007.02.027
不同择优取向的ZnO薄膜的制备
采用射频磁控溅射法在载玻片上制备了不同择优取向的ZnO薄膜.结果表明,溅射功率在100~380 W范围内制备的ZnO薄膜呈(101)择优取向性,当功率上升至550 W时,薄膜则为(100)取向;基片温度升高有利于(002)面的生长,当基片温度为250℃时,在溅射功率为200 W时即可制得(002)面择优取向的薄膜.热处理温度的提高有助于(100)和(101)面的择优取向,而对(002)面的取向不利.同时,该文对ZnO薄膜不同择优取向生长的机制进行了探讨.
氧化锌薄膜、(100)定向、(101)定向、磁控溅射
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O484.1(固体物理学)
上海市重点学科建设项目T0101
2007-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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