10.3969/j.issn.1004-2474.2006.03.034
ZnSe/SiO2薄膜光学常数的椭偏光谱测量
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X-射线衍射(XRD)分析表明,ZnSe/SiO2复合薄膜中ZnSe晶体为闪锌矿(立方ZnS).利用椭偏光谱仪测量了不同ZnSe含量的ZnSe/SiO2复合薄膜的椭偏参数Δ与波长λ的色散关系,采用Maxwell-Garnett(MG)有效介质理论对薄膜的光学常数、厚度、气孔率、ZnSe的浓度进行了计算.结果表明,单层ZnSe/SiO2薄膜厚度在300 nm以上时,随着溶胶体系Zn2+、SeO2-4浓度的增加而增大,气孔率在30%左右,ZnSe含量约为溶胶体系中Zn2+、SeO2-4浓度的1/2;通过MG有效介质理论的计算表明,可以通过调整旋涂次数及Zn2+、SeO2-4浓度来调整薄膜的厚度和ZnSe/SiO2的摩尔比率,可在工艺上控制ZnSe/SiO2复合薄膜光学参数.
ZnSe/SiO2复合薄膜、椭偏光谱、光学常数、有效介质理论
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O48;O59(固体物理学)
科技部科研项目20002CB613305;中国-以色列合作项目
2006-06-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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