RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征

摘要：

采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜.XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219 nm的晶粒组成,较为均匀、致密.在1 kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50 kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10 μC/cm2、13 μC/cm2.

关键词：锆钛酸铅薄膜、射频溅射、钙钛矿结构、电滞回线

所属期刊栏目：28

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60371030;天津大学校科研和教改项目5110103

在线出版日期：2006-06-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：325-327