流延法制备钛酸锶钡厚膜

摘要：

采用流延法在有凹槽的硅片上制备出钛酸锶钡((Ba,Sr)TiO3)厚膜材料.为了提高薄膜的致密性和降低烧结温度,采用溶胶沉淀法制备BST纳米粉末,并结合水热处理进一步提高其结晶性,降低颗粒中有机物的吸附量.所得BST厚膜烧结温度约为1 200 ℃.经1 000 ℃、5 h热处理后,BST厚膜厚约30 μm,表面平整,且较致密.介温谱表明其相变温度约为30 ℃,介电损耗约为0.02,与薄膜材料相比,其介温变化率有较大的提高.

关键词：钛酸锶钡、粉末、厚膜、凹槽、流延

所属期刊栏目：28

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划60306011

在线出版日期：2006-06-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：314-316