10.3969/j.issn.1004-2474.2006.02.027
大气状态下AFM阳极氧化加工Si的研究
Si纳米氧化线是构筑基于Si的纳米器件的基础.通过AFM针尖诱导阳极氧化加工的n型Si(100)的实验得到凸出的n型Si(100)氧化物高度和偏置电压成线性关系,与针尖扫描速度成负对数关系,并在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,得到了合适的加工条件为偏压8 V和扫描速度1 μm/s.
AFM阳极氧化、Si氧化线、偏置电压、扫描速度
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TN16(真空电子技术)
南开大学-天津大学合作项目
2006-05-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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