氧化钒薄膜的性能和制备

摘要：

为制备低相变温度、高相变特性的氧化钒薄膜,分析了氧化钒的结构,及其结构决定的特有相变,相变前后独特的光电性能及其应用.比较研究了各种制备方法,得到最低相变温度、最高的电阻变化率和电阻温度系数分别达24 ℃、105、-5.2% K-1,研究表明,掺杂改性及新的成膜工艺的研究是氧化钒薄膜的发展方向.

关键词：氧化钒、薄膜、制备、性能

所属期刊栏目：28

分类号：TN373(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目2002AA325080

在线出版日期：2006-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：179-181,184