BST薄膜电容器的制备及其调谐性能研究

摘要：

利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST)薄膜, 该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min, 然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器.X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明, BST薄膜具有钙钛矿结构,薄膜表面光滑, 晶粒致密且分布均匀.调谐性能测试结果表明,该电容器具有较高的电容调谐率,在室温100 kHz频率下, 对于2 V的直流偏压, 其调谐率和损耗因子分别为62 %和0.02.这说明具有此结构的BST薄膜电容器可望应用于微波集成电路.

关键词：BST薄膜、薄膜电容器、调谐特性、退火处理

所属期刊栏目：28

分类号：TM27(电工材料)

在线出版日期：2006-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：161-163