Si基Bi4Ti3O12薄膜电滞回线及铁电性能的研究

摘要：

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/ Bi4Ti3O12/p-Si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能.空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱.退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度,而这两种因素对铁电性能的影响是相反的.Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果.

关键词：铁电薄膜、Bi4Ti3O12、电滞回线、铁电性能

所属期刊栏目：25

分类号：TM22.1;TN304.9(电工材料)

资助基金：广西自然科学基金桂科基0236062

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：501-504