新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性

摘要：

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6 K-1、3.8×10-6 K-1,在453.15 K时测得晶体的比热为0.90 J/g*K,并在200～ 800 nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数.

关键词：提拉法、La3Ga5SiO14、结构、热膨胀、比热、透过谱、压电特性

所属期刊栏目：25

分类号：TM229.1(电工材料)

资助基金：军工配套项目;国家自然科学基金60178029

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：490-493