10.3969/j.issn.1004-2474.2003.06.007
还原气氛对表面层陶瓷电容器介电性能的影响
在材料组成、烧结工艺不变的情况下,系统研究了还原气氛对Y5V、Y5U、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器瓷片半导化电阻率、瓷片介电性能的影响.研究结果表明,半导体陶瓷电容器的容量变化率强烈依赖其还原气氛,无论是Y5V、Y5U还是Y5P瓷片均有类似的变化规律.氧分压降低,电容器的电容量温度变化率ΔC/C变小,当H2∶N2比例大于20∶100时,瓷片的ΔC/C不再变化,大约为空气烧结瓷片ΔC/C的88%.在不改变瓷料组成、烧结温度的情况下,通过还原气氛的适当控制,可改善Y5V、Y5U、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器的电容温度特性,而其他介电性能基本不变.
BaTiO3、电容器、半导体陶瓷、表面层
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TM534(电器)
2004-01-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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