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10.3969/j.issn.1004-2474.2003.04.018

(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷预烧和烧结工艺研究

引用
研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tan δ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使tan δ增大.XRD分析表明,在1 100 °C预烧,1 150 °C烧结的该系统主晶相是(Zr0.8Sn0.2)TiO4.该系统具有优良的介电性能(1 MHz):ε≈38,tan δ≤10-4,体电阻率ρv≥1013*cm,温度系数αc=0±30 ×10-6/°C.

(Zr0.8Sn0.2)TiO4、预烧、烧结、介电性能

25

TQ174

2003-09-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

321-324

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1004-2474

50-1091/TN

25

2003,25(4)

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