稀土Ce对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏性能的影响

摘要：

研究了掺Ce对SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻器性能的影响.研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷样品具有最高的密度(ρ＝6.71 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB=413.6 V/mm),最高的非线性系数(α＝13.8),最高的势垒电压和最窄的势垒厚度.为了解释样品电学非线性性质的起源,该文提出了SnO2*Co2O3*Nb2O5*CeO2晶界缺陷势垒模型.同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析.试验测量与等效电路分析结果相符.

关键词：压敏材料、二氧化锡、电学性能、缺陷势垒模型

所属期刊栏目：25

分类号：TN379(半导体技术)

资助基金：国家理科基地创建名牌课程项目

在线出版日期：2003-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：280-283