10.3969/j.issn.1004-2474.2003.03.022
用于射频领域的高调节范围MEMS压控电容
在分析了传统平行极板MEMS压控电容的基础上,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容.与传统的平行极板电容不同的是,它由三对极板构成.其中一对是起电容作用的极板,另外两对是控制极板.交流信号通过电容极板传输,而直流控制电压施加在控制极板上.使用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,得出其调节范围达214%,大大超出了传统的平行极板电容在调节范围上的自然限制(50%).另外,设计了该电容的工艺流程.其工艺流程较简单,很容易集成在标准的RF电路中.
MEMS压控电容、崩塌效应、控制极板、悬臂梁、牺牲层
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TM532.5(电器)
国家重点基础研究发展计划973计划
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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