Ce∶Cu∶SBN晶体生长及全息存储性能的研究

摘要：

在SBN中掺杂的w(CeO2)、w(CuO)为0.1%,采用硅钼棒作加热体,以提拉法生长Ce∶Cu∶SBN、Ce∶SBN和Cu∶SBN晶体,测试晶体的衍射效率和响应时间.Ce∶Cu∶SBN晶体的最大衍射效率达65%,响应时间为1.3 s,以Ce∶Cu∶SBN晶体作记录元件,以Cu∶SBN晶体作为位相共轭反射镜,实现全息关联存储.Ce∶Cu∶SBN晶体的存储性能优于SBN、Ce∶SBN和Cu∶SBN晶体.其响应速度比Fe∶LiNbO3晶体快一个数量级以上.对Ce离子和Cu离子在SBN晶体的占位和Ce∶Cu∶SBN晶体存储性能增强机理进行探讨.

关键词：Ce∶Cu∶SBN晶体、存储性能、衍射效率

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分类号：O735;O482.4(晶体物理)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G19990330,8632001AA31304

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：218-220