La3Ga5SiO14晶体生长研究

摘要：

报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果.采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体.对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出φ50 mm×140 mm的La3 Ga5SiO14晶体,并测试了部分压电性能.

关键词：La3Ga5SiO14晶体、直拉法、压电 性能

所属期刊栏目：25

分类号：O772(晶体缺陷)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：133-135