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10.3969/j.issn.1004-2474.2002.05.012

在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降

引用
利用准分子激光原位淀积法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,建立了一条修正的经验幂定律I=A(ξV)α和一个层状铁电薄膜电流密度-电压(I-V)曲线的近似公式,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数ξ.由修正的经验幂定律和I-V曲线近似公式算出的界面电位降Vi与由C-V曲线理论得出的结果一致.界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.

层状铁电薄膜、界面电位降、耗尽层

24

TN304(半导体技术)

国家自然科学基金59972010;国家重点实验室基金

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

374-377

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1004-2474

50-1091/TN

24

2002,24(5)

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