10.3969/j.issn.1004-2474.2001.06.012
层状结构铁电薄膜中频率对界面电位降的影响
利用准分子激光原位淀积方法制备了层状结构铁电薄膜,借助HP4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,对同一频率下不同结构的铁电薄膜的界面电压降及不同频率下同一结构的铁电薄膜的界面电压降进行计算.结果表明,在同一频率下不同结构的铁电薄膜其界面电压降不同,同一结构的多层铁电薄膜在不同频率下其界面电压降也不同.不同的耗尽层厚度导致了界面电压降的不同.
层状结构、铁电薄膜、界面电压降、频率、耗尽层
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TN304(半导体技术)
国家自然科学基金59972010;国家重点实验室基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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445-448