ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质

摘要：

利用新型So1-Gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上制备Bi2O3、Sb2O3掺杂的ZnO陶瓷薄膜.先驱体溶液由Bi2O3、Sb2O3掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3COO)2、Bi(NO3)3及Sb2O3的溶胶中制成.薄膜由甩胶法制备,并由400℃预烧、750℃退火.制得的陶瓷薄膜ZnO结晶良好,并存在β-Bi2O3、Zn2Sb3Bi3O14及Zn7Sb2O12相,表现出良好的低压压敏性质.厚约为3μm的ZnO陶瓷薄膜非线性系数α为6.2、压敏电压为5 V、漏电流为8uA.

关键词：掺杂ZnO陶瓷薄膜、低压压敏电阻、新型Sol-Gel法、性能特征

所属期刊栏目：23

分类号：TM283(电工材料)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：384-386