离子束增强沉积AlN薄膜的研究

摘要：

利用离子束增强沉积(IBED)法成功地在Si(100)衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜.XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在,随着Al蒸发速率的提高,N/Al下降,在0.05 nm/s及0.10nm/s的蒸发速率下制得的薄膜N/A1分别为0.402:1和0.250:1.SRP测试结果表明,随着Al蒸发速率的提高,表面电阻下降,并且在0.05 nm/s的速率下制得的薄膜均匀致密,表面电阻高于108 Ω,绝缘性能良好,而当蒸发速率≥0.25 nm/s时,薄膜绝缘性能迅速下降.AFM分析显示薄膜呈岛状分布,且0.05 nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积,颗粒均匀,表面比0.10 nm/s样品起伏平缓、光滑,薄膜的生长机制可能是三维岛状生长.

关键词：离子束增强沉积、AlN、SOI

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分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000365;国家自然科学基金69976034

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：366-369