(Li,Nb)掺杂SnO2压敏材料的电学非线性研究

摘要：

研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非线性性能.掺入x(Li2CO3)为1.0%的陶瓷样品具有最高的密度(P=6.77g/cm3)、最高的介电常数(ε=1 851)、最低的视在势垒电场(EB=68.86 V/mm)和最高的非线性常数(α=9.9).对比发现,Na+由于具有较大的离子粒半径,其掺杂改性性能相对较差.提出了SnO2@Li2CO3@Nb2O5晶界缺陷势垒模型.

关键词：压敏材料、二氧化锡、电学性能、缺陷势垒模型

所属期刊栏目：23

分类号：TN379(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50072013

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：362-365