10.3969/j.issn.1004-2474.2001.05.012
PLZT厚膜研究
研究了用Sol-Gel法制备PLZT-7.5/70/30微粉的工艺,进行了相应厚膜的制备.探讨了微粉团聚问题及防止团聚的有关措施.由X射线衍射分析可知,在700℃下制备的PLZT-7.5/70/30厚膜为纯钙钛矿相.从铁电与热释电性测量结果可知,纯钙钛矿相PLZT-7.5/70/30厚膜的矫顽场Ec在28℃和43℃下分别为24.25kV/cm和18.13 kV/cm,热释电系数p=0.46 nC/cm2@℃.以上数据表明,PLZT-7.5/70/30厚膜材料是一种优选的热释电材料.
Sol-Gel、PLZT、厚膜、铁电特性、热释电特性
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TN304(半导体技术)
湖北省自然科学基金99J047
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
359-361,390