锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响

摘要：

通过对样品V-I特性和势垒特性的测试和分析,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响.snO2@Co2O3基本上不具有电学非线性,掺杂很少量的Sb2O3可明显改善材料的非线性.研究中发现掺杂x(sb2O3)为0.01%的样品具有最高的质量密度(ρ＝6.90 g/cm3)、最高的视在势垒电场(EB＝276 V/cm)和最好的电学非线性(a＝12.89).提出了SnO2@Co2O3@Sb2O3的晶界缺陷势垒模型.

关键词：压敏材料、氧化锑、电学性能、缺陷势垒模型

所属期刊栏目：23

分类号：TN379(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50072013

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：309-312