射频磁控溅射法制备(Ba0.7Sro.3)TiO3铁电薄膜

摘要：

采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的(Ba0.7Sr0.3)TiO3(BST)铁电薄膜.研究了BST铁电薄膜的制备工艺,分析了BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌.测试了其介电特性,测得的相对介电常数-温度曲线表明制备的(Ba0.7S0.3)TiO3铁电薄膜的居里温度在室温附近,约30°c处.

关键词：射频磁控溅射法、BST铁电薄膜、相对介电常数-温度曲线、居里温度

所属期刊栏目：23

分类号：TN384(半导体技术)

资助基金：国防科技电子顸研基金99J2.2.4Jw.0512

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：293-295