10.3969/j.issn.1004-2474.2001.03.013
ZnO-B2O3-SiO2系统的相结构与介电性能的研究
对ZnO-B2O3-SiO2三元系统进行了XRD和介电性能定量关系的研究。系统的主、次晶相为SiO2、Zn2SiO4相。调整各组分,获得了超低介电常数的介质陶瓷,其介电常数ε为5,介电损耗tan δ≤5×10-4,容量温度系参数αc≤(0±30)×10-6/°C、绝缘电阻IR≥1012Ω,烧结温度为1 140 °C。并对系统进行了X-射线分析,探讨了用X-射线衍射峰强度计算各物相含量的方法。
ZnO-B2O3-SiO2系统、超低介电常数、X-射线分析、衍射峰强度、物相含量
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TM430.130(变压器、变流器及电抗器)
国家自然科学基金59782003
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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