10.3969/j.issn.1004-2474.2001.02.016
多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术
采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在p-Si/SiO2界面有氮原子富积,说明生成了强的Si-N键。
多晶硅薄膜、薄膜晶体管、表面钝化、氮等离子钝化
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TN304.055(半导体技术)
香港科技大学校科研和教改项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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