SrxPb1-xTiO3基陶瓷材料热敏特性研究

摘要：

以SrxPb1-xTiO3为基料，液相掺杂一定量的Y和Si，采用传统固相合成工艺方法制备出了具有明显V型阻温特性的半导体热敏电阻，通过扫描电镜形貌观察、R-T特性测试及复阻抗分析表明，SrxPb1-xTiO3陶瓷的阻温特性明显受半导化程度的影响，居里点以下的NTC效应往往随着半导化程度的提高而降低。掺杂玻璃相物质Si(OC2H5)4能增强SrxPb1-xTiO3陶瓷NTC效应(t＜Tc)，同时也造成了室温电阻率的升高，但掺杂Si与出现NTC效应并没有必然的联系。作者认为在烧结过程中由于存在Pb挥发，使SrxPb1-xTiO3陶瓷材料中出现了梯度pb2+离子空位及缺陷缔合是SrxPb1-xTiO3基V型热敏陶瓷材料产生显著NTC效应主要原因，同时对SrxPb1-xTiO3陶瓷的半导化机制进行了初步探讨。

关键词：SrxPb1-xTiO3、PTC、NTC、热敏电阻

所属期刊栏目：23

分类号：TN373(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：134-137