10.3969/j.issn.1004-2474.2000.06.015
全息法研究Mg:In:LN晶体波导基片的光损伤
在LN中掺进x(MgO)=3%和x(In2O3)=1%、2%,用Czochralski法生长Mg:1%In:LN和Mg:2%IN:LN晶体.以光斑畸变法测试晶体光损伤阈值,通过质子交换技术(PE)制备LN和Mg:In:LN晶体光波导基片,用全息法研究晶体波导基片的光损伤.结果表明,PE:Mg:1%In:LN的光损伤阈值比PE:LN提高2个数量级以上,PE:Mg:2%In:LN的光损伤阈值比PE:LN提高3个数量级以上.
Mg:In:LN晶体、波导基片、光损伤
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O734(晶体物理)
科技部科研项目G19990330;黑龙江省教育厅科学技术研究项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
398-400