溅射沉积AlN薄膜结构与基片种类的关系

摘要：

采用高真空直流磁控反应溅射成功地在5种基片上制备出多晶择优取向的AlN薄膜.结果表明,5种基片均可生长 (100)面择优取向的AlN薄膜,并且具有良好的纵向组成均匀性,表面粗造度小,晶粒均匀致密.在金属电极和Si片上沉积的AlN薄膜结晶度、取向性、衍射强度差别较小, 两者的结构均优于在盖玻片上沉积的AlN薄膜.

关键词：AlN薄膜、基片、结构、磁控反应溅射

所属期刊栏目：22

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：中国科学院资助项目29741004;山西省自然科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：256-258