组分和应力不均匀分布对薄膜铁电性的影响

摘要：

采用组合靶射频溅射的方法、制备后慢速降温的途径在(111)Si基板上制备出了成膜较好的PbT iO3薄膜.通过测试分析发现在薄膜中形成了一个缓解应力的过渡层,薄膜中的Pb、 Ti组分比沿着薄膜生长的方向成非线性增长,并在薄膜表面形成一个富Pb层,薄膜的 C-V特性曲线中存在负方向的位移和畸变.结合实验结果对薄膜的生长机理进行了探讨 ,并且对薄膜中的应力和不均匀分布的组分对薄膜铁电特性的影响进行了理论上的分析,而且与实验取得了一致的结果.

关键词：PbTiO3薄膜、应力、组分

所属期刊栏目：22

分类号：TM221(电工材料)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：249-252