具有光敏下陷包层的B/Ge共掺光敏光纤的研制

摘要：

紫外光纤光栅的包层模造成的损耗限制了光栅在波分复用系统中的使用.文章分析了同时具有下陷内包层和光敏内包层的光敏光纤可以极大地抑制包层模耦合,并采用MCVD工艺制作出了硼和锗共掺(B/ Ge)的带光敏的下陷内包层的光纤,经写入紫外光纤光栅证实该光敏光纤确实极大地抑制了包层模耦合.

关键词：光纤、光栅、光敏性、包层模、耦合

所属期刊栏目：22

分类号：TN929.1

资助基金：中国科学院资助项目69977003

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：222-224