一种高性能BiCMOS带隙基准电压源设计

摘要：

文章在对带隙基准基本原理与电路结构分析基础上,介绍了一种高精度、低功耗、高电源抑制比的BiCMOS带隙基准电压源电路.该电路的实现是基于0.6μm、5V的BiCMOS工艺.仿真结果表明,该基准电路稳定工作电源电压范围为1.9V～6-4V,在低频下的电源抑制比可达到-88dB.温度变化范围从-25℃至150℃时,温度系数为9.73×10-6,输出电压误差为1.72mV.

关键词：带隙基准、BiCMOS、电源抑制比

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：66-68