10.3969/j.issn.1006-2394.2008.05.004
一种基于衬底偏置技术的低压低功耗运算放大器设计
讨论衬底偏置MOS管的工作原理,对其低压特性进行了分析和仿真.并基于CMOS衬底偏置技术,设计了两级CMOS运算放大器.在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Smart Spice进行模拟验证.模拟结果表明在在1.0V的低电源电压下,失调电压为457.4μV,开环差模电压增益约为68dB,单位增益带宽为2.3MHz,相位裕量为67.4°,且其功耗仅有35μW,仿真结果显示了衬底偏置技术用于超低压模拟电路设计的优势.
CMOS集成电路、低功耗、衬底偏置、运算放大器
TN402(微电子学、集成电路(IC))
2008-07-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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