一种基于衬底偏置技术的低压低功耗运算放大器设计

摘要：

讨论衬底偏置MOS管的工作原理,对其低压特性进行了分析和仿真.并基于CMOS衬底偏置技术,设计了两级CMOS运算放大器.在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Smart Spice进行模拟验证.模拟结果表明在在1.0V的低电源电压下,失调电压为457.4μV,开环差模电压增益约为68dB,单位增益带宽为2.3MHz,相位裕量为67.4°,且其功耗仅有35μW,仿真结果显示了衬底偏置技术用于超低压模拟电路设计的优势.

关键词：CMOS集成电路、低功耗、衬底偏置、运算放大器

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：10-12