纳米n-ZnO/p-GaN异质结构的制备与特性研究
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10.3969/j.issn.1673-1069.2017.34.072

纳米n-ZnO/p-GaN异质结构的制备与特性研究

引用
随着社会的发展,新材料器件越来越多的应用于社会生活中.论文在p-GaN衬底上利用水热法制备了n-ZnO/p-GaN异质结构,制备的ZnO具有多晶纤锌矿结构,在380nm具有明显的紫外发光峰,在正向偏压下,该结构发出蓝紫光.

氧化锌、氮化镓、异质结

TN304(半导体技术)

2018-01-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

152-153

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中小企业管理与科技

1673-1069

13-1355/F

2017,(34)

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