初始空位浓度对硅晶圆中V-O2对演变影响的仿真

摘要：

为了揭示初始空位浓度对低温退火的硅晶圆内V-O2对演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对随机均匀分布的3个初始空位浓度条件下硅晶圆内V-O2对演变进行了模拟研究.结果表明:随着初始空位浓度平均值的减小,V-O2对数量相应减少且变化速率减慢,这与相应的空位浓度演变及其均匀化过程有关;初始空位浓度平均值过低时,V-O2对不能产生.

关键词：仿真、硅晶圆、V-O2对、初始空位浓度

所属期刊栏目：35

分类号：TG111(金属学与热处理)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金项目;山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题

在线出版日期：2020-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6-11