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10.3969/j.issn.1003-0972.2019.03.024

单晶组件使用寿命末期功率衰减分析

引用
选取在我国已经服役20年、质量可靠的一批单晶组件,对其使用寿命末期的功率衰减情况进行分析研究.对132块1996年Siemens Solar生产的单晶组件SM55,进行EL以及功率的相关测试,发现其功率平均衰减为26.7%,年平均衰减率为1.54%;采用简单的线性拟合函数方法,对功率的衰减与电流的衰减及填充因子的衰减进行拟合,发现功率的减少主要由填充因子的减少造成;研究分析组件电池片中隐裂和碎片的分布规律,发现隐裂和碎片不是引起组件功率衰减的主要因素;结合组件之前服役的环境条件,分析推断组件功率衰减主要来源于串联电阻的增加.

隐裂、碎片、功率衰减、填充因子、模型参数、串联电阻

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TM914

国家自然科学基金项目11604279;河南省科技计划项目172102410070;河南省高等学校重点科研项目18B470009;信阳师范学院青年科研基金项目2016-QN-051

2019-07-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

473-477

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信阳师范学院学报(自然科学版)

1003-0972

41-1107/N

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2019,32(3)

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