锗硅烯与H 2 O加成反应的计算研究

摘要：

采用密度泛函理论方法研究了两种锗硅烯(H 2 Ge=SiH 2及Ph2 Ge=SiPh2)与H 2 O的加成反应的微观机理和势能剖面,分析了加成反应中区域选择性的起源.计算结果表明,H 2 O的单聚体、二聚体及三聚体均可作为亲核试剂与锗硅烯发生加成反应.形成Si—O键和Ge—O键的反应均为复杂反应,且Si(Ge)—O键比Ge(Si)—H键优先形成.加成反应的区域选择性由动力学因素决定.H 2 O作为亲核试剂的反应活性低于CH 3 OH.

关键词：锗硅烯、加成反应、反式弯曲结构、区域选择性

所属期刊栏目：30

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：河南省科技发展计划项目142300410194

在线出版日期：2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：553-556