一种具有长复位延时的上电复位电路的设计

摘要：

为满足大规模SoC系统对长复位延时的需求,提出了一种带有掉电检测功能的低功耗新型上电复位(POR)电路.该POR电路采用Charted 0.35 μm CMOS工艺,电源电压为3.3V,稳态工作电流仅为10μA,版图面积为130 μm×110μm,仅用一个pF级的片上电容,就可以实现100 ms以上的复位延时,并且使用基准电流源,使得复位延时随温度变化不明显,当温度从-40℃变化到90℃时,复位延时从108.32 ms变到98.95 ms,变化小于10％.

关键词：上电复位电路、掉电检测、掉电复位、长复位延时

所属期刊栏目：29

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：贵州省科学技术基金项目黔科合J字LKZS[2014]27号;贵州省教育厅自然科学研究项目黔教合KY字2013200号;贵州省省级重点学科项目黔学位办[2013]18号

在线出版日期：2016-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：257-260