低功耗直接衬底耦合QVCO的分析与设计

摘要：

设计了一款基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺实现的低功耗低相位噪声、直接衬底耦舍形式的正交压控振荡器(QVCO).该QVCO采用电容抽头技术、丙类操作状态和衬底耦合技术,降低电路的功耗和面积.最终版图后仿真结果表明:该QVCO在仅消耗2 mW的情况下,在载频6 GHz处,相位噪声达到-119.11dBc/Hz@1MHz.

关键词：压控振荡器、衬底耦合、低相位噪声、低功耗

所属期刊栏目：29

分类号：TN431.1(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：军队科研重点资助项目KJ2013××××

在线出版日期：2016-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：253-256