基于多孔硅的 Hg2＋荧光化学传感器

摘要：

通过电化学腐蚀的方法制备发橙色荧光的多孔硅，采用荧光光谱和透射电镜对制备的多孔硅进行表征．结果表明，其在空气中放置时，荧光会逐渐降低，直至完全消失．进一步对其透射电镜图片进行分析认为，令其发光的根本原因是多孔硅内部存在着单晶的硅晶粒．通过热反应和光反应两种方法在多孔硅表面引入Hg2＋识别基团，得到多孔硅化学传感器S1和S2．二者均可实现对Hg2＋的选择性识别．

关键词：多孔硅、荧光化学传感器、电化学腐蚀、汞离子

分类号：O644.16(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目21302003

在线出版日期：2015-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：218-221