一维单晶、多晶复合结构的构筑及迁移率的调制研究

摘要：

我校物理电子工程学院闫海龙博士获批2013年国家自然科学基金项目：一维单晶、多晶复合结构的构筑及迁移率的调制研究，项目编号：U1304108。<br>　　平板显示技术具有高效率、高亮度、宽视角、低功耗、驱动电压低、响应速度快、全彩色、材料轻便、易加工等特点，能满足更高性能和更大信息容量的要求。薄膜晶体管(TFT)是平板显示的核心元件，在提高显示性能及拓宽显示领域上具有举足轻重的作用。衡量TFT性能的一个重要标准是沟道层的迁移率。目前多是利用ZnO制备TFT，但是其接触电阻大、迁移率低。为解决这一问题，迁移率接近单晶的纳米结构经常被用于制备导电沟道。在纳米线中，电子被束缚在一维方向上传输，载流子迁移率远远高于其他材料。纳米线基TFT的制作工艺相当复杂，且无法实现大面积制作，必须找到一种能够将ZnO纳米线高效、整齐地排列于基底上的方法，才能够有效地简化纳米线基TFT的加工工艺。

机标关键词：一维、单晶、多晶、复合结构、载流子迁移率、纳米线、自然科学基金项目、平板显示技术、显示性能、薄膜晶体管、制作工艺、信息容量、项目编号、响应速度、驱动电压、纳米结构、接触电阻、加工工艺、沟道、电子

分类号：TN9;TN3

在线出版日期：2014-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：625-625